動(dòng)態(tài)
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功率器件封裝新突破:納米銅燒結(jié)連接技術(shù)
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無(wú)法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下可靠服役的需求。納米銅燒結(jié)連接技術(shù)因其低溫連接、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對(duì)較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭296瀏覽量